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  電子封裝是一種將半導(dǎo)體集成電路上絕緣材料打包的技術(shù)，在芯片上是至關(guān)重要。所以看來電子封裝的選材堪憂重要，而且在電子封裝上用的基板材料要求都是低成本、易加工、高導(dǎo)熱性與絕緣等特性。

一、dpc陶瓷基板直接電鍍銅工藝過程

  dpc又稱為直接鍍銅陶瓷基板因為其制作中將陶瓷基片進(jìn)行前處理清洗，然后利用真空濺射方式在基片表面沉積Ti/Cu層作為種子層，接著以光刻、顯影、刻蝕工藝完成線路制作，最后再以電鍍/化學(xué)鍍方式增加線路厚度，待光刻膠去除后完成基板制作。

  dpc陶瓷基板制備工藝，首先利用激光在陶瓷基片上制備通孔[孔徑一般為60~120μm]，然后在利用超聲波清洗陶瓷基片。采用了磁控濺射技術(shù)在陶瓷基片的表面沉積金屬種子層[Ti/Cu]，接著就是通過光刻、顯影完成線路層制作，最后采用電鍍填孔和增厚金屬線路層，并通過表面處理提高基板可焊性與抗氧化性，最后去干膜、刻蝕種子層完成基板制備。

二、dpc陶瓷基板優(yōu)勢特點(diǎn)及關(guān)鍵技術(shù)

  1.優(yōu)勢

   采用半導(dǎo)體微加工技術(shù)，陶瓷基板上金屬線路更加精細(xì)[線寬/線距可低至30-50μm，與線路層厚度相關(guān)]。

   采用激光打孔與電鍍填孔技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了陶瓷基板上/下表面垂直互聯(lián)，可實(shí)現(xiàn)電子器件三維封裝與集成，可降低器件體積。

   采用電鍍生長控制線路層厚度[一般為10-100μm]，并通過研磨降低線路層表面粗糙度。

  2.關(guān)鍵技術(shù)

   金屬線路層和陶瓷基片中的結(jié)合強(qiáng)度，因為金屬與陶瓷間熱膨脹系數(shù)差較大，為了降低界面應(yīng)力，都是需要在銅層與陶瓷間增加過渡層，從而提高界面結(jié)合強(qiáng)度。并且由過渡層與陶瓷間的結(jié)合力主要以擴(kuò)散附著及化學(xué)鍵為主，所以常選擇Ti、Cr及Ni等活性較高、擴(kuò)散性好的金屬作為過渡層[也作為電鍍種子層]。

   電鍍填孔也是dpc陶瓷基板制備的主要關(guān)鍵技術(shù)。在目前dpc基板中的電鍍填孔大多采用脈沖電源，因為其技術(shù)優(yōu)勢要包括：易于填充通孔，降低孔內(nèi)鍍層缺陷、表面鍍層結(jié)構(gòu)致密、厚度均勻等，甚至可采用較高電流密度進(jìn)行電鍍來提高沉積效率。