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隨著電子元器件不斷的持續(xù)發(fā)展，在精密電子以及航空航天等工業(yè)領(lǐng)域得到了進一步的推進，而這些領(lǐng)域都涵蓋了陶瓷基板的應(yīng)用。其中，陶瓷基板因其優(yōu)越的性能逐漸得到了越來越多的應(yīng)用。

那么深紫外LED的光效主要是由外量子效率決定，而外量子效率受內(nèi)量子效率和光提取效率影響。隨著深紫外LED內(nèi)量子效率不斷提高（>80%），深紫外LED光提取效率成為限制深紫外LED光效提高的關(guān)鍵因素，而深紫外LED光提取效率受到封裝技術(shù)影響較為大。

深紫外LED封裝技術(shù)與目前的白光LED封裝技術(shù)有所不同。因為白光LED主要是采用有機材料例如環(huán)氧樹脂、硅膠進行封裝，但由于深紫外的光波長短且能量高，有機材料在長時間深紫外光輻射下會發(fā)生紫外降解，嚴重影響深紫外LED的光效和可靠性。所以，深紫外LED封裝環(huán)節(jié)對于材料的選擇尤其重要。

由于LED封裝材料主要包括出光材料、散熱基板材料和焊接鍵合材料，而其中出光材料用于芯片發(fā)光提取、光調(diào)節(jié)、機械保護等；散熱陶瓷基板用于芯片電互連、散熱與機械支撐等；焊接鍵合材料用于芯片固晶、透鏡鍵合等。

LED出光結(jié)構(gòu)一般是采用透明材料實現(xiàn)光輸出和調(diào)節(jié)，同時對芯片和線路層起到保護作用。因此有機材料耐熱性差和熱導(dǎo)率低，深紫外LED芯片所產(chǎn)生的熱量會導(dǎo)致有機封裝層溫度升高，長時間高溫下有機材料出現(xiàn)熱降解和熱老化，甚至是不可逆的碳化現(xiàn)象。此外，在高能量紫外光輻射下，有機封裝層會出現(xiàn)透過率下降、微裂紋等不可逆的改變，并且隨著深紫外光能量不斷增加，這些問題更為嚴重，使得傳統(tǒng)有機材料難以滿足深紫外LED封裝需求。

總體而言，有些部分的有機材料能夠耐受紫外光，但是由于有機材料耐熱性差和非氣密性，使得有機材料在深紫外LED封裝中仍然受到限制。因此，研發(fā)者也不斷嘗試采用石英玻璃、藍寶石等無機透明材料來封裝深紫外LED。

一、焊接鍵合材料：

深紫外LED焊接材料包括芯片固晶材料和基板焊接材料，分別用于實現(xiàn)芯片。玻璃蓋板（透鏡）與陶瓷基板間焊接。倒裝芯片常采用金錫共晶方式實現(xiàn)芯片固晶，水平和垂直芯片可利用導(dǎo)電銀膠、無鉛焊膏等完成芯片固晶。相對于銀膠和無鉛焊膏，金錫共晶鍵合強度高、界面質(zhì)量好，并且鍵合層熱導(dǎo)率高，降低了LED熱阻。

玻璃蓋板焊接是在完成芯片固晶后進行，因此焊接溫度受到芯片固晶層耐受溫度限制，主要包括直接鍵合和焊料鍵合。直接鍵合不需要中間鍵合材料，利用高溫高壓方法直接完成玻璃蓋板與陶瓷基板間焊接，鍵合界面平整、強度高，但對設(shè)備和工藝控制要求高；焊接鍵合是采用低溫錫基焊料作為中間層，在加熱加壓條件下，利用焊料層與金屬層間原子相互擴散來完成鍵合，工藝溫度低、操作簡單。目前常采用焊料鍵合來實現(xiàn)玻璃蓋板與陶瓷基板間可靠鍵合，但需要同時在玻璃蓋板和陶瓷基板表面制備金屬層，以滿足金屬焊接需求，并且鍵合工藝過程中需要考慮焊料的選擇、焊料涂覆、焊料溢出和焊接溫度等問題。

二、散熱基板材料：

LED散熱陶瓷基板材料主要有樹脂類、金屬類和陶瓷類。其中樹脂類和金屬類基板均含有有機樹脂絕緣層，這會降低散熱基板的熱導(dǎo)率，影響基板散熱性能，而陶瓷類基板主要包括高溫/低溫/共燒陶瓷基板( HTCC /LTCC) 、厚膜陶瓷基板( TPC) 、覆銅陶瓷基板( DBC) 以及電鍍陶瓷基板( DPC)。

陶瓷基板具有機械強度高、絕緣性好、導(dǎo)熱性高、耐熱性好、熱膨脹系數(shù)小等諸多優(yōu)勢，并且廣泛應(yīng)用于功率器件封裝，特別是大功率LED封裝。由于深紫外LED光效較低，輸入的絕大部分電能轉(zhuǎn)換為熱量，為了避免過多熱量對芯片造成高溫損傷，需要將芯片產(chǎn)生的熱量及時耗散到周圍環(huán)境中，而深紫外LED主要依靠散熱陶瓷基板作為熱傳導(dǎo)路徑，因此高導(dǎo)熱陶瓷基板是深紫外LED封裝用的散熱基板的最好選擇。