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如今陶瓷基板是指在高溫下將銅箔直接粘合在氧化鋁或氮化鋁板材，而陶瓷基板的表面（單面或雙面）上的特殊工藝。在與傳統(tǒng)的FR-4或鋁基板相比，制成超薄復(fù)合基板具有優(yōu)異的電絕緣性能、高導(dǎo)熱性能、優(yōu)異的軟焊性和高附著力?？梢晕g刻PCB等各種圖形，載流能力大，適用于發(fā)熱量大的產(chǎn)品比如高亮度LED、太陽能，其優(yōu)異的耐候性更適用于惡劣的戶外環(huán)境。

一、陶瓷基板都有哪些種類；

1、按陶瓷基板材質(zhì)；

?氮化鋁

氮化鋁有兩個(gè)非常重要的特性值得注意：一是高導(dǎo)熱性，二是與硅相匹配的膨脹系數(shù)。唯一缺點(diǎn)是即使表面有很薄的氧化層，也會(huì)影響導(dǎo)熱性。只有嚴(yán)格控制材料和工藝，才能生產(chǎn)出一致性好的AIN基板。目前相對于氧化鋁，氮化鋁的價(jià)格相對比較高，這也是制約其發(fā)展的一個(gè)小瓶頸。但是，隨著經(jīng)濟(jì)的好轉(zhuǎn)和技術(shù)的升級，這個(gè)瓶頸最終會(huì)消失的。

?氧化鋁

氧化鋁陶瓷基板是電子行業(yè)最常用的基板材料，由于其機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能與大多數(shù)其他氧化物陶瓷相比，具有較高的強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性，并且原材料豐富適用于各種技術(shù)制造和不同形狀。

?氧化鈹

它比金屬鋁具有更高的熱導(dǎo)率，用于需要高熱導(dǎo)率的應(yīng)用，但在300℃后溫度迅速下降。最重要的是它的毒性限制了它的發(fā)展。

以上材質(zhì)原因可知，氧化鋁陶瓷基板以其優(yōu)越的綜合性能，在微電子、電力電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域仍處于主導(dǎo)地位及應(yīng)用廣泛。

2、按陶瓷基板制造工藝；

?DPC陶瓷基板（直接鍍銅工藝）

DPC也稱為直接鍍銅基板，以DPC陶瓷基板技術(shù)為例；首先對陶瓷基板進(jìn)行預(yù)處理和清洗，利用專業(yè)的薄膜制造技術(shù)-真空鍍膜法將其濺射并結(jié)合到陶瓷基板上的銅金屬復(fù)合層上，然后用黃光光刻的光刻膠在曝光、顯影、蝕刻，完成去膜工藝制線最后，通過電鍍/化學(xué)鍍沉積增加電路的厚度，去除光刻膠后，完成金屬化電路。

?DBC陶瓷基板（直接鍵合銅）

直接鍵合銅技術(shù)使用銅的含氧共晶溶液將銅直接沉積在陶瓷上。基本原理是在沉積過程之前或期間在銅和陶瓷之間引入適量的氧氣。在1065℃~1083℃范圍的，銅與氧形成Cu-O共晶液。DBC技術(shù)利用這種共晶液體與陶瓷基板發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成CuAIO2或CuAIO4。此外，它還滲入銅箔，實(shí)現(xiàn)陶瓷基板和銅板的結(jié)合。

?HTCC陶瓷基板（高溫共燒陶瓷）

HTCC也稱為高溫共燒多層陶瓷。制造過程與 LTCC 非常相似。主要區(qū)別在于HTCC的陶瓷粉沒有添加到玻璃材料中。因此HTCC必須在1300～1600℃的高溫下干燥硬化。由于其共燒溫度高，金屬導(dǎo)體材料的選擇受到限制。由于其共燒溫度高，金屬導(dǎo)體材料的選擇受到限制。主要材料有鎢、鉬、錳等，熔點(diǎn)高但導(dǎo)電性差，最后層壓燒結(jié)成型。

?LTCC陶瓷基板（低溫共燒陶瓷）

LTCC又稱低溫共燒多層陶瓷基板。該技術(shù)必須先將無機(jī)氧化鋁粉末與約30%~50%的玻璃材料與有機(jī)粘合劑混合，使其均勻混合成泥狀漿料。用刮刀將漿料刮成片狀，再經(jīng)過干燥過程形成一片薄薄的生胚，再按照每層的設(shè)計(jì)打通孔，作為每層的信號傳輸。LTCC的內(nèi)部電路采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)分別在綠胚上填孔和印刷電路。內(nèi)外電極可分別使用銀、銅、金等金屬。在850～900℃的燒結(jié)爐中燒結(jié)即可完成。

?LAM陶瓷基板（激光活化金屬化）

使用高能激光束電離陶瓷和金屬，讓它們一起生長，使它們牢固地結(jié)合在一起。

二、陶瓷基板產(chǎn)品特點(diǎn)；

?電阻較低的金屬膜；

?基板的可焊性好，使用溫度高；

?絕緣性好；

?導(dǎo)電層厚度可在1μm～1mm內(nèi)定制；

?低頻損耗；

?高密度組裝成為可能一世，不含有機(jī)成分；

?銅層不含氧化層；

?三維基板和三維布線；