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北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊(duì)在超高速純硅調(diào)制器方面取得突破，實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報(bào)道第一個(gè)1GHz硅調(diào)制器后，國(guó)際上首次把純硅調(diào)制器帶寬提高到100GHz以上。 日前，相關(guān)研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調(diào)制器》為題在線發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》。

“該純硅調(diào)制器同時(shí)具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）集成工藝兼容等優(yōu)勢(shì)，滿足了未來(lái)超高速應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)超高速率、高集成度、多波長(zhǎng)通信、高熱穩(wěn)定性及晶圓級(jí)生產(chǎn)等需求，是硅基光電子領(lǐng)域的重大突破，為高速、短距離數(shù)據(jù)中心和光通信的應(yīng)用提供了重要關(guān)鍵技術(shù)支撐，對(duì)于下一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展意義重大?！蓖跖d軍介紹。

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